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2. Spin-transfer-induced magnetization switching in magnetic tunnel junctions 代表性成果 SCIE

作者:Zhang, YS; Zhang, ZZ; Liu, YW; Ma, B; Jin, QY

通讯作者地址:Zhang, ZZ (reprint author), Fudan Univ, Dept Opt Sci & Engn, State Key Lab Adv Photon Mat & Devices, Shanghai 200433, Peoples R China.

作者机构:[Zhang, YS; Zhang, ZZ; Liu, YW; Ma, B; Jin, QY]Fudan Univ, Dept Opt Sci & Engn, State Key Lab Adv Photon Mat & Devices, Shanghai 200433, Peopl 更多

来源:JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2006,99,8

收录类别:;SCIE

当年影响因子:2.068

WOS被引:9

资源类型:外文期刊论文

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