商丽燕 + 关注学者
  • 所属院系:信息科学技术学院
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1. 基于碲镉汞材料的金属-绝缘层-半导体(MIS)结构的电容-电压特性研究 代表性成果

作者:蒋立飞

第一导师:商丽燕

学位授予年度:2017

作者机构:信息科学技术学院

专业名称:集成电路工程

资源类型:学位论文

4. GaN/AlxGa1-xN异质结二维电子气的磁电阻研究 代表性成果 知网 CSCD SCIE

作者:王威;周文政;韦尚江;李小娟;常志刚;林铁;商丽燕;韩奎;段俊熙;唐宁;沈波;褚君浩

通讯作者地址:Wang, W (reprint author), Guangxi Univ, Coll Phys Sci & Technol, Nanning 530004, Peoples R China.

作者机构:[王威]广西大学物理科学与工程技术学院,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,华东师范大学信息科学与技术学院极化材料与器件教育部重点实验室,北 更多

来源:物理学报,2012,61,23

收录类别:知网;CSCD;SCIE

当年影响因子:0.624

资源类型:中文期刊论文;外文期刊论文

16. Modified LPE technique growth and properties of long wavelength InAs0.05Sb0.95 thick film 代表性成果 SCIE

作者:Hu, SH; Deng, HY; Sun, Y; Wu, J; Shang, LY; Lin, T; Wang, R; Dai, N

通讯作者地址:Dai, N (reprint author), Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China.

作者机构:[Hu, S. H.; Deng, H. Y.; Sun, Y.; Wu, J.; Shang, L. Y.; Lin, T.; Wang, R.; Dai, N.] Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, 更多

来源:JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS,2008,465,1-2,442-445

收录类别:SCIE

当年影响因子:3.133

WOS被引:5

资源类型:外文期刊论文

19. Spin splitting in In(0).(53)Ga(0.47)As/InP heterostructures 代表性成果 SCIE

作者:Shang, LY; Yu, GL; Lin, T; Zhou, WZ; Guo, SL; Dai, N; Chu, JH

通讯作者地址:Yu, GL (reprint author), Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China.

作者机构:[Shang Li-Yan; Yu Guo-Lin; Lin Tie; Zhou Wen-Zheng; Guo Shao-Ling; Dai Ning; Chu Jun-Hao] Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared 更多

来源:CHINESE PHYSICS LETTERS,2008,25,6,2194-2197

收录类别:SCIE

当年影响因子:0.8

WOS被引:6

资源类型:外文期刊论文

共 2 页, 32 条记录

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