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2. Vacancy-type defects in Er-doped GaN studied by a monoenergetic positron beam 代表性成果 SCIE

作者:Uedono, A; Shaoqiang, C; Jongwon, S; Ito, K; Nakamori, H; Honda, N; Tomita, S; Akimoto, K; Kudo, H; Ishibashi, S

通讯作者地址:Uedono, A (reprint author), Univ Tsukuba, Inst Appl Phys, Tsukuba, Ibaraki 3058573, Japan.

作者机构:[Uedono, A.; Shaoqiang, C.; Jongwon, S.; Ito, K.; Nakamori, H.; Honda, N.; Tomita, S.; Akimoto, K.; Kudo, H.] Univ Tsukuba, Inst Appl Phys, Tsukuba, I 更多

来源:JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2008,103,10

收录类别:;SCIE

当年影响因子:2.068

WOS被引:25

资源类型:外文期刊论文

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