高建军 + 关注学者
  • 认领成果数 109
  • wos论文数 82
  • wos被引 345
  • wos篇均被引 4.21

全部成果分类

显示更多
导出 规范数据导出
  • 排序
  • 显示
1. 高速PIN光探测器微波建模与参数提取分析 代表性成果

作者:徐智霞

第一导师:高建军

学位授予年度:2017

作者机构:信息科学技术学院

专业名称:电磁场与微波技术

资源类型:学位论文

3. High-Speed and High-Responsivity InP-Based Uni-Traveling-Carrier Photodiodes 代表性成果 SCOPUS SCIE CPCI-S EI

作者:Meng, QQ;Wang, H;Liu, CY;Guo, X;Gao, JJ;Ang, KS

通讯作者:Wang, Hong(ewanghong@ntu.edu.sg)

通讯作者地址:Wang, H (reprint author), Nanyang Technol Univ, Temasek Labs, Singapore 637553, Singapore.; Wang, H (reprint author), Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore.

作者机构:[Meng, Qianqian; Wang, Hong; Liu, Chongyang; Guo, Xin; Ang, Kian Siong] Nanyang Technol Univ, Temasek Labs, Singapore 637553, Singapore.; [Gao, Jian 更多

来源:IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY,2017,5,1,40-44

收录类别:SCOPUS;SCIE;CPCI-S;EI

当年影响因子:3.141

资源类型:外文期刊论文;外文会议论文

4. An improved linear modeling technique with sensitivity analysis for GaN HEMT 代表性成果 SCOPUS SCIE EI

作者:Luo, DT;Shen, L;Gao, JJ

通讯作者:Gao, Jianjun(jjgao@ee.ecnu.edu.cn)

通讯作者地址:Gao, JJ (reprint author), East China Normal Univ, Sch Informat Sci & Technol, Shanghai 200241, Peoples R China.

作者机构:[Luo, Danting; Shen, Li; Gao, Jianjun] East China Normal Univ, Shanghai Key Lab Multidimens Informat Proc, Sch Informat Sci & Technol, Shanghai 200241 更多

来源:INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES; AND FIELDS,2017,30,1

收录类别:SCOPUS;SCIE;EI

当年影响因子:0.622

WOS被引:1

Scopus被引:1

资源类型:外文期刊论文

5. 氮化镓高电子迁移率晶体管的参数提取与灵敏度分析 代表性成果

作者:骆丹婷

第一导师:高建军

学位授予年度:2016

作者机构:信息科学技术学院

专业名称:电磁场与微波技术

资源类型:学位论文

6. 微波射频变压器的建模与参数提取 代表性成果

作者:程冉

第一导师:高建军

学位授予年度:2016

作者机构:信息科学技术学院

专业名称:电磁场与微波技术

资源类型:学位论文

7. 基于八角环形天线的紧密双极化孔径阵列的设计 代表性成果

作者:张书雅

第一导师:高建军

学位授予年度:2016

作者机构:信息科学技术学院

专业名称:电子与通信工程

资源类型:学位论文

8. 基于 CMOS 工艺的毫米波发射机芯片设计 代表性成果

作者:陈波

第一导师:高建军

学位授予年度:2016

作者机构:信息科学技术学院

专业名称:电磁场与微波技术

资源类型:学位论文

9. 高电子迁移率晶体管微波建模与参数提取研究 代表性成果

作者:沈溧

第一导师:高建军

学位授予年度:2016

作者机构:信息科学技术学院

专业名称:电磁场与微波技术

资源类型:学位论文

10. An improved de-embedding procedure for nanometer MOSFET small signal modeling 代表性成果 SCOPUS SCIE EI

作者:Zhou, Y;Yu, PP;Yan, N;Gao, JJ

通讯作者:Zhou, Ying(18801965859@163.com)

通讯作者地址:Zhou, Y (reprint author), East China Normal Univ, Sch Informat Sci & Technol, Shanghai 200062, Peoples R China.

作者机构:[Zhou, Ying; Yu, Panpan; Gao, Jianjun] East China Normal Univ, Sch Informat Sci & Technol, Shanghai 200062, Peoples R China.; [Yan, Na] Fudan Univ, 更多

来源:MICROELECTRONICS JOURNAL,2016,57,60-65

收录类别:SCOPUS;SCIE;EI

当年影响因子:1.163

资源类型:外文期刊论文

11. A novel approach to extracting extrinsic resistances for equivalent circuit model of nanoscale MOSFET 代表性成果 SCOPUS SCIE EI

作者:Yu, PP;Zhou, Y;Sun, L;Gao, JJ

通讯作者:Gao, Jianjun(jjgao@ee.ecnu.edu.cn)

通讯作者地址:Gao, JJ (reprint author), East China Normal Univ, Sch Informat Sci & Technol, Shanghai 200062, Peoples R China.

作者机构:[Yu, Panpan; Zhou, Ying; Gao, Jianjun] East China Normal Univ, Sch Informat Sci & Technol, Shanghai 200062, Peoples R China.; [Sun, Ling] Nantong Un 更多

来源:INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES; AND FIELDS,2016,29,6,1044-1054

收录类别:SCOPUS;SCIE;EI

当年影响因子:0.622

WOS被引:2

Scopus被引:2

资源类型:外文期刊论文

12. 片上叠层式变压器的建模及参数提取 代表性成果 SCIE EI SCOPUS CSCD 万方 维普

作者:程冉;陈波;骆丹婷;高建军

通讯作者地址:Cheng, R (reprint author), E China Normal Univ, Sch Informat Sci & Technol, Shanghai Key Lab Multidimens Informat Proc, Shanghai 200241, Peoples R China.; Cheng, R (reprint author), Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, State Key Lab Transducer Technol, Shanghai 200050, Peoples R China.

作者机构:[程冉;陈波;骆丹婷;高建军]华东师范大学信息科学技术学院上海市多维度信息处理重点实验室,上海;[程冉;高建军]上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实 更多

来源:红外与毫米波学报,2016,35,2,172-176

收录类别:SCIE;EI;SCOPUS;CSCD;万方;维普

当年影响因子:0.267

资源类型:中文期刊论文;外文期刊论文

14. 深亚微米MOS场效应晶体管小信号模型和噪声建模技术研究 代表性成果

作者:钭飒飒

第一导师:高建军

学位授予年度:2015

作者机构:信息科学技术学院

专业名称:电磁场与微波技术

资源类型:学位论文

15. 基于英特尔多核架构和Linux平台的UE系统LTE MAC层协议实现 代表性成果

作者:胡瑞嘉

第一导师:高建军

学位授予年度:2015

作者机构:信息科学技术学院

专业名称:电子与通信工程

资源类型:学位论文

18. A 60 GHz transformer-coupled neutralized low power CMOS power amplifier 代表性成果 SCOPUS SCIE EI

作者:Chen, B; Shen, L; Gao, JJ

通讯作者:Gao, Jianjun

通讯作者地址:Chen, B (reprint author), China Normal Univ, Sch Informat & Sci Technol, Shanghai 200241, Peoples R China.

作者机构:[Chen, Bo; Shen, Li; Gao, Jianjun] China Normal Univ, Sch Informat & Sci Technol, Shanghai 200241, Peoples R China.

来源:MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS,2015,57,11,2487-2491

收录类别:SCOPUS;SCIE;EI

当年影响因子:0.731

Scopus被引:1

资源类型:外文期刊论文

19. Microwave noise modeling for MOSFETs 代表性成果 SCOPUS SCIE EI

作者:Yu, PP;Chen, B;Gao, JJ

通讯作者:Gao, Jianjun

通讯作者地址:Gao, JJ (reprint author), E China Normal Univ, Sch Informat Sci & Technol, Shanghai 200062, Peoples R China.

作者机构:[Yu, Panpan; Chen, Bo; Gao, Jianjun] E China Normal Univ, Sch Informat Sci & Technol, Shanghai Key Lab Multidimens Informat Proc, Shanghai 200062, Peo 更多

来源:INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES; AND FIELDS,2015,28,6,639-648

收录类别:SCOPUS;SCIE;EI

当年影响因子:0.622

资源类型:外文期刊论文

20. The effect of the gate-drain distance on high frequency and noise performance for AlGaN/GaN HEMT 代表性成果 SCOPUS SCIE EI

作者:Shen, L;Chen, B;Sun, L;Gao, JJ

通讯作者:Gao, Jianjun

通讯作者地址:Gao, JJ (reprint author), E China Normal Univ, Sch Informat Sci & Technol, Shanghai 200062, Peoples R China.

作者机构:[Shen, Li; Chen, Bo; Gao, Jianjun] E China Normal Univ, Sch Informat Sci & Technol, Shanghai 200062, Peoples R China.; [Sun, Ling] Nantong Univ, Jia 更多

来源:MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS,2015,57,9,2020-2023

收录类别:SCOPUS;SCIE;EI

当年影响因子:0.731

资源类型:外文期刊论文

共 6 页, 109 条记录

TOP