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1. 40nm工艺代中道寄生效应及模型研究 代表性成果

作者:任佳琪

第一导师:石艳玲

学位授予年度:2017

作者机构:信息科学技术学院

专业名称:微电子学与固体电子学

资源类型:学位论文

2. 深纳米工艺代三维FinFET栅围寄生效应及模型研究 代表性成果

作者:郑芳林

第一导师:石艳玲

学位授予年度:2017

作者机构:信息科学技术学院

专业名称:微电子学与固体电子学

资源类型:学位论文

3. 基于FPGA的实时CMOS图像传感器采集系统设计与实现 代表性成果

作者:俞全

第一导师:石艳玲

学位授予年度:2017

作者机构:信息科学技术学院

专业名称:集成电路工程

资源类型:学位论文

4. 40nm工艺代片上电阻的制备及精准建模研究 代表性成果

作者:吴克

第一导师:石艳玲

学位授予年度:2017

作者机构:信息科学技术学院

专业名称:集成电路工程

资源类型:学位论文

5. 55nm工艺代片上电容精准模型研究与实现 代表性成果

作者:吴骏

第一导师:石艳玲

学位授予年度:2017

作者机构:信息科学技术学院

专业名称:集成电路工程

资源类型:学位论文

6. Laser cooling of 5 mol. % Yb3+:LuLiF4 crystal in air 代表性成果 SCOPUS SCIE EI

作者:Zhong, B;Luo, H;Shi, YL;Yin, JP

通讯作者:Yin, Jianping(jpyin@phy.ecnu.edu.cn)

通讯作者地址:Yin, JP (reprint author), East China Normal Univ, State Key Lab Precis Spect, 3663 North Zhongshan Rd, Shanghai 200062, Peoples R China.

作者机构:[Zhong, Biao; Luo, Hao; Shi, Yanling; Yin, Jianping] East China Normal Univ, State Key Lab Precis Spect, 3663 North Zhongshan Rd, Shanghai 200062, Peo 更多

来源:OPTICAL ENGINEERING,2017,56,1

收录类别:SCOPUS;SCIE;EI

当年影响因子:1.082

WOS被引:1

Scopus被引:1

资源类型:外文期刊论文

7. 256GB容量闪存芯片的超薄封装技术研发与实现 代表性成果

作者:曹国振

第一导师:石艳玲

学位授予年度:2016

作者机构:信息科学技术学院

专业名称:集成电路工程

资源类型:学位论文

8. NBTI效应对数字集成电路组合逻辑延迟的影响研究 代表性成果

作者:林尧

第一导师:石艳玲

学位授予年度:2016

作者机构:信息科学技术学院

专业名称:微电子学与固体电子学

资源类型:学位论文

9. 基于0.13amp;micro;m工艺的1.5V低功耗MOSFET器件的设计与研发 代表性成果

作者:王鷁奇

第一导师:石艳玲

学位授予年度:2016

作者机构:信息科学技术学院

专业名称:集成电路工程

资源类型:学位论文

10. 运用精益六西格玛方法减少印刷电路板波峰焊接锡渣残留的工作研究 代表性成果

作者:叶青

第一导师:石艳玲

学位授予年度:2016

作者机构:信息科学技术学院

专业名称:集成电路工程

资源类型:学位论文

11. 基于10nm FinFET工艺的标准单元库版图设计与优化 代表性成果

作者:常亮

第一导师:石艳玲

学位授予年度:2016

作者机构:信息科学技术学院

专业名称:集成电路工程

资源类型:学位论文

12. 一种适用于高精度光刻机的精密温控系统的设计与实现 代表性成果

作者:蔡烨平

第一导师:石艳玲

学位授予年度:2016

作者机构:信息科学技术学院

专业名称:电子与通信工程

资源类型:学位论文

13. 深纳米CMOS技术寄生效应极其波动性的精准模型与参数提取研究 代表性成果

作者:孙立杰

第一导师:石艳玲

学位授予年度:2016

作者机构:信息科学技术学院

专业名称:微电子学与固体电子学

资源类型:学位论文

14. 柔性SWNT-TFT溶液工艺及输出特性仿真研究 代表性成果

作者:王佐奉

第一导师:石艳玲

学位授予年度:2016

作者机构:信息科学技术学院

专业名称:微电子学与固体电子学

资源类型:学位论文

15. 基本单元电路的NBTI机制下性能退化分析及改进方法研究 代表性成果

作者:花修春

第一导师:石艳玲

学位授予年度:2016

作者机构:信息科学技术学院

专业名称:微电子学与固体电子学

资源类型:学位论文

16. Analytical parameter extraction for NBTI reaction diffusion and trapping/detrapping models 代表性成果 SCOPUS SCIE EI

作者:Wang, YL;Li, XJ;Qing, J;Zeng, Y;Shi, YL;Guo, A;Hu, SJ;Chen, SM;Zhao, YH

通讯作者:Li, XiaoJin(xjli@ee.ecnu.edu.cn)

通讯作者地址:Li, XJ (reprint author), East China Normal Univ, Shanghai Key Lab Multidimens Informat Proc, Dept Elect Engn, Shanghai, Peoples R China.

作者机构:[Wang, YanLing; Li, XiaoJin; Qing, Jian; Zeng, Yan; Shi, YanLing] East China Normal Univ, Shanghai Key Lab Multidimens Informat Proc, Dept Elect Engn, 更多

来源:MICROELECTRONICS RELIABILITY,2016,66,10-15

收录类别:SCOPUS;SCIE;EI

当年影响因子:1.371

WOS被引:1

Scopus被引:1

资源类型:外文期刊论文

17. In-suit investigation of DC characteristics degradation in SiGe HBT included by halogen lamp irradiation 代表性成果 SCOPUS SCIE EI

作者:Sun, YB;Fu, J;Wang, YD;Zhou, W;Li, XJ;Shi, YL

通讯作者:Sun, Yabin(ybsun@ee.ecnu.edu.cn)

通讯作者地址:Sun, YB (reprint author), East China Normal Univ, Shanghai Key Lab Multidimens Informat Proc, Shanghai 200241, Peoples R China.; Sun, YB (reprint author), East China Normal Univ, Dept Elect Engn, Shanghai 200241, Peoples R China.

作者机构:[Sun, Yabin; Li, Xiaojin; Shi, Yanling] East China Normal Univ, Shanghai Key Lab Multidimens Informat Proc, Shanghai 200241, Peoples R China.; [Sun, 更多

来源:SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES,2016,98,62-69

收录类别:SCOPUS;SCIE;EI

当年影响因子:2.123

资源类型:外文期刊论文

18. Experimental study of bias dependence of pulsed laser-induced single-event transient in SiGe HBT 代表性成果 SCOPUS SCIE EI

作者:Sun, YB;Fu, J;Wang, YD;Zhou, W;Liu, ZH;Li, XJ;Shi, YL

通讯作者:Shi, Yanling(ylshi@ee.ecnu.edu.cn)

通讯作者地址:Shi, YL (reprint author), East China Normal Univ, Dept Elect Engn, Shanghai Key Lab Multidimens Informat Proc, Shanghai 200241, Peoples R China.

作者机构:[Sun, Yabin; Li, Xiaojin; Shi, Yanling] East China Normal Univ, Dept Elect Engn, Shanghai Key Lab Multidimens Informat Proc, Shanghai 200241, Peoples 更多

来源:MICROELECTRONICS RELIABILITY,2016,65,41-46

收录类别:SCOPUS;SCIE;EI

当年影响因子:1.371

资源类型:外文期刊论文

19. McWill下行链Turbo码的解速率匹配ASIC设计与实现 代表性成果

作者:聂苏梅

第一导师:石艳玲

学位授予年度:2015

作者机构:信息科学技术学院

专业名称:电子与通信工程

资源类型:学位论文

20. VLSI纳米制造技术的量产良率控制研究 代表性成果

作者:肖欣广

第一导师:石艳玲

学位授予年度:2015

作者机构:信息科学技术学院

专业名称:集成电路工程

资源类型:学位论文

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