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2. Radio-Frequency modeling and parameters extraction of multi-cell MOSFET device EI SCOPUS

作者:Zhou Y.;Yu P.-P.;Gao J.-J.

通讯作者:Gao, Jian-Jun(jjgao@ee.ecnu.edu.cn)

通讯作者地址:Gao, J.-J.; School of Information Science and Technology, East China Normal UniversityChina; 电子邮件: jjgao@ee.ecnu.edu.cn

作者机构:[Zhou, Ying ;Yu, Pan-Pan ;Gao, Jian-Jun ] School of Information Science and Technology, East China Normal University, Shanghai; 200062, China

来源:Hongwai Yu Haomibo Xuebao/Journal of Infrared and Millimeter Waves,2017,36,5,550-553 and 562

收录类别:EI;SCOPUS

当年影响因子:0.267

资源类型:外文期刊论文

3. Optical time domain reflectometer based on high-speed single-photon detection EI SCIE SCOPUS 知网 万方 维普

作者:Ni, WJ; Chen, J; Liang, Y; Zeng, HP

通讯作者:Liang, Yan(yanliangSPD@163.com)

通讯作者地址:Liang, Y (reprint author), Univ Shanghai Sci & Technol, Sch Opt Elect & Comp Engn, Shanghai 200093, Peoples R China.

作者机构:[Ni Wen-Jin; Chen Jie; Liang Yan; Zeng He-Ping] Univ Shanghai Sci & Technol, Sch Opt Elect & Comp Engn, Shanghai 200093, Peoples R China.; [Zeng He- 更多

来源:JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES,2017,36,2,196-201

收录类别:EI;SCIE;SCOPUS;知网;万方;维普

当年影响因子:0.267

资源类型:中文期刊论文;外文期刊论文

4. Optical time domain reflectometer based on dual repetition rates SCIE

作者:Huang, RG; Chen, J; Liang, Y; Shen, XL; Zeng, HP

通讯作者地址:Zeng, HP (reprint author), Univ Shanghai Sci & Technol, Sch Opt Elect & Comp Engn, Shanghai 200093, Peoples R China.; Zeng, HP (reprint author), East China Normal Univ, State Key Lab Precis Spect, Shanghai 200062, Peoples R China.

作者机构:[Huang Ren-Gui; Chen Jie; Liang Yan; Shen Xu-Ling; Zeng He-Ping] Univ Shanghai Sci & Technol, Sch Opt Elect & Comp Engn, Shanghai 200093, Peoples R Ch 更多

来源:JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES,2017,36,6,727-+

收录类别:SCIE

当年影响因子:0.267

资源类型:外文期刊论文

7. Thickness-dependent magnetoresistance effects in InSb films SCOPUS

作者:Zhang Y.-H.; Song Z.-Y.; Chen P.-P.; Lin T.; Tian F.; Kang T.-T.

通讯作者地址:Kang, T.-T.; National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of SciencesChina; 电子邮件: kang@mail.sitp.ac.cn

作者机构:[Zhang, Y.-H] School of Materials Science and Engineering, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai, China, National Laboratory for 更多

来源:Hongwai Yu Haomibo Xuebao/Journal of Infrared and Millimeter Waves,2017,36,3,311-315

收录类别:SCOPUS

资源类型:外文期刊论文

9. 新型亚波长陷光结构HgCdTe红外探测器研究进展 知网 万方 维普 CSCD SCIE

作者:胡伟达;梁健;越方禹;陈效双;陆卫

通讯作者地址:Hu, WD (reprint author), Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China.; Yue, FY (reprint author), E China Normal Univ, MOE, Key Lab Polar Mat & Devices, Shanghai 200241, Peoples R China.

作者机构:[胡伟达;梁健;陈效双;陆卫]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海;[越方禹]华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室,上海 更多

来源:红外与毫米波学报,2016,35,1

收录类别:知网;万方;维普;CSCD;SCIE

当年影响因子:0.267

资源类型:中文期刊论文;外文期刊论文

10. Ce和Ni共掺杂BiFeO3薄膜的光学和铁磁性能 SCIE EI SCOPUS CSCD 知网 万方 维普

作者:崔金玉;杨平雄;褚君浩

通讯作者:Yang, Ping-Xiong(pxyang@ee.ecnu.edu.cn)

通讯作者地址:Yang, PX (reprint author), E China Normal Univ, Dept Elect, Key Lab Polar Mat & Devices, Minist Educ, Shanghai 200241, Peoples R China.

作者机构:[崔金玉]营口理工学院机电工程系,辽宁营口;[杨平雄;褚君浩]华东师范大学信息科学技术学院电子系极化材料与器件教育部重点实验室,上海 更多

来源:红外与毫米波学报,2016,35,3,322-325 and 331

收录类别:SCIE;EI;SCOPUS;CSCD;知网;万方;维普

当年影响因子:0.267

资源类型:中文期刊论文;外文期刊论文

11. 片上叠层式变压器的建模及参数提取 SCIE EI SCOPUS CSCD 万方 维普

作者:程冉;陈波;骆丹婷;高建军

通讯作者地址:Cheng, R (reprint author), E China Normal Univ, Sch Informat Sci & Technol, Shanghai Key Lab Multidimens Informat Proc, Shanghai 200241, Peoples R China.; Cheng, R (reprint author), Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, State Key Lab Transducer Technol, Shanghai 200050, Peoples R China.

作者机构:[程冉;陈波;骆丹婷;高建军]华东师范大学信息科学技术学院上海市多维度信息处理重点实验室,上海;[程冉;高建军]上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实 更多

来源:红外与毫米波学报,2016,35,2,172-176

收录类别:SCIE;EI;SCOPUS;CSCD;万方;维普

当年影响因子:0.267

资源类型:中文期刊论文;外文期刊论文

12. Recent progress of subwavelength photon trapping HgCdTe infrared detector SCOPUS EI

作者:Hu W.-D.;Liang J.;Yue F.-Y.;Chen X.-S.;Lu W.

通讯作者:Hu, Wei-Da(wdhu@mail.sitp.ac.cn)

通讯作者地址:Hu, W.-D.; National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of SciencesChina; 电子邮件: wdhu@mail.sitp.ac.cn

作者机构:[Hu, Wei-Da ;Liang, Jian ;Chen, Xiao-Shuang ;Lu, Wei ] National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Acad 更多

来源:Hongwai Yu Haomibo Xuebao/Journal of Infrared and Millimeter Waves,2016,35,1,25-36 and 51

收录类别:SCOPUS;EI

当年影响因子:0.267

Scopus被引:16

资源类型:外文期刊论文

13. 量子密钥分发中偏振补偿算法 CSCD SCIE

作者:刘尉悦; 曹蕾; 陈厦微; 张亮; 李杨; 曹原; 任继刚; 蔡文奇; 廖胜凯; 彭承志

通讯作者地址:Liu, WY (reprint author), Ningbo Univ, Coll Informat & Engn, Ningbo 315211, Zhejiang, Peoples R China.

作者机构:[刘尉悦]宁波大学信息科学与工程学院, 宁波, 浙江 315211, 中国.;[曹蕾]宁波大学信息科学与工程学院, 宁波, 浙江 315211, 中国.;[陈厦微]中国科学技术大学, 合肥 更多

来源:红外与毫米波学报,2016,35,2,210-213

收录类别:CSCD;SCIE

当年影响因子:0.267

资源类型:中文期刊论文;外文期刊论文

14. Asymmetric capacitance-voltage curves induced by pinned interface dipoles in poly(vinylidene fluoride/trifluoroethylene) capacitor SCIE

作者:Liu, BL; Tian, BB; Zhao, XL; Wang, JL; Sun, S; Shen, H; Sun, JL; Meng, XJ; Chu, JH

通讯作者地址:Tian, BB (reprint author), Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China.; Tian, BB (reprint author), Univ Chinese Acad Sci, Beijing 100049, Peoples R China.

作者机构:[Liu Bo-Lu; Tian Bo-Bo; Zhao Xiao-Lin; Wang Jian-Lu; Sun Shuo; Shen Hong; Sun Jing-Lan; Meng Xiang-Jian; Chu Jun-Hao] Chinese Acad Sci, Shanghai Inst 更多

来源:JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES,2016,35,2,143-146

收录类别:SCIE

当年影响因子:0.267

资源类型:外文期刊论文

15. 硒化温度对Cu(In,Al)Se2薄膜结构和光学性质的影响 SCIE EI SCOPUS CSCD 万方 维普

作者:曹辉义;邓红梅;崔金玉;孟宪宽;张俊;孙琳;杨平雄;褚君浩

通讯作者地址:Yang, PX (reprint author), E China Normal Univ, Dept Elect Engn, Key Lab Polar Mat & Devices, Minist Educ, Shanghai 200241, Peoples R China.

作者机构:[曹辉义;崔金玉;孟宪宽;张俊;孙琳;杨平雄;褚君浩]华东师范大学电子工程系极化材料与器件教育部重点实验室,上海;[崔金玉]绥化学院电气工程学院,黑龙注绥化;[邓红梅 更多

来源:红外与毫米波学报,2015,34,6

收录类别:SCIE;EI;SCOPUS;CSCD;万方;维普

当年影响因子:0.267

资源类型:中文期刊论文;外文期刊论文

16. 多晶硅太阳电池转换效率和晶体缺陷相关性 知网 万方 维普 SCIE CSCD

作者:张映斌;熊震;陈奕峰;冯志强;杨平雄;褚君浩

通讯作者地址:Yang, PX (reprint author), E China Normal Univ, Dept Elect, Minist Educ, Key Lab Polar Mat & Devices, Shanghai 200241, Peoples R China.

作者机构:[张映斌;杨平雄;褚君浩]华东师范大学信息科学与技术学院极化材料与器件教育部重点实验室,上海;[张映斌;熊震;陈奕峰;冯志强]常州天合光能有限公司光伏科学与技术国 更多

来源:红外与毫米波学报,2015,34,5

收录类别:知网;万方;维普;SCIE;CSCD

当年影响因子:0.267

资源类型:中文期刊论文;外文期刊论文

17. 溶胶-凝胶非硫化法制备铜锌锡硫薄膜 SCIE EI SCOPUS CSCD 万方 维普

作者:张克智;何俊;王伟君;孙琳;杨平雄;褚君浩

通讯作者地址:Sun, L (reprint author), E China Normal Univ, Key Lab Polar Mat & Devices, Minist Educ, Shanghai 200241, Peoples R China.

作者机构:[张克智;何俊;王伟君;孙琳;杨平雄;褚君浩]华东师范大学电子工程系极化材料与器件教育部重点实验室,上海

来源:红外与毫米波学报,2015,34,2

收录类别:SCIE;EI;SCOPUS;CSCD;万方;维普

当年影响因子:0.267

资源类型:中文期刊论文;外文期刊论文

共 9 页, 175 条记录

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