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6. 多铁和磁电材料的第一性原理研究 SCOPUS SCIE CSCD

作者:Fang Yuewen;Ding Hangchen;Tong Wenyi;Zhu Wanjiao;Shen Xin;Gong Shijing;Wan Xiangang;Duan Chungang

通讯作者地址:Gong, SJ (reprint author), E China Normal Univ, Minist Educ, Key Lab Polar Mat & Devices, Shanghai 200062, Peoples R China.

作者机构:[方跃文]200062.;[丁航晨]200062.;[童文旖]200062.;[朱皖骄]200062.;[沈昕]200062.;[龚士静]200062.;[万贤纲]210093.;[段纯刚]200083.

来源:科学通报,2015,60,2,156-181

收录类别:SCOPUS;SCIE;CSCD

当年影响因子:4

资源类型:中文期刊论文;外文期刊论文

共 10 页, 197 条记录

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