标题:EPITAXIALLY GROWN BETA-SIC ON SI IN THE CH4-H-2 SYSTEM BY HOT-FILAMENT CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
作者:SUN, Z[1,2]; SUN, Y[1,2]; WANG, X[1,2]; ZHENG, Z[1,2]
作者全称:SUN, Z[1,2]; SUN, Y[1,2]; WANG, X[1,2]; ZHENG, Z[1,2]
通讯作者地址:SUN, Z (reprint author), E CHINA NORMAL UNIV,DEPT PHYS,SHANGHAI 200062,PEOPLES R CHINA.
出版年:1995
卷:34
期:2-3
页码:L13-L16
关键词:Chemical vapour deposition; Epitaxy of thin films; Silicon; Silicon carbide
摘要:beta-SiC thin films were deposited on silicon substrates by hot filament chemical vapour deposition from methane diluted with hydrogen. Under depositi 更多
收录类别:SCOPUS;SCIE
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资源类型:外文期刊论文
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