标题:基于0.18mum SiGe BiCMOS工艺的高线性射频功率放大器
作者:阮颖[1]; 陈磊[2]; 田亮[3]; 周进[4]; 赖宗声[5]
来源:微电子学
出版年:2010
卷:40
期:4
关键词:射频功率放大器
摘要:采用0.18mum SiGe BiCMOS工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g 2.4 GHz频段的Class; AB射频功率放大器. 该放大器采用两级放大结构,具有带温度补偿的线性化 更多
收录类别:CSCD
资源类型:中文期刊论文
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