标题:Backside-illuminated infrared photoluminescence and photoreflectance: Probe of vertical nonuniformity of HgCdTe on GaAs
作者:Shao, J[1];Chen, L[2];Lu, W[1];Lu, X[];Zhu, LQ[1];Guo, SL[1];He, L[2];Chu, JH[1,3]
作者全称:Shao, Jun[1];Chen, Lu[2];Lu, Wei[1];Lue, Xiang[1];Zhu, Liangqing[1];Guo, Shaoling[1];He, Li[2];Chu, Junhao[1,3]
通讯作者:Shao, J.(jshao@mail.sitp.ac.cn)
通讯作者地址:Shao, J (reprint author), Chinese Acad Sci, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai Inst Tech Phys, Shanghai 200083, Peoples R China.
出版年:2010
卷:96
期:12
关键词:arsenic; cadmium compounds; II-VI semiconductors; impurity states;; mercury compounds; photoluminescence; photoreflectance; semiconductor; epitaxial layers
摘要:Vertical uniformity of HgCdTe epilayer is a crucial parameter for infrared detector engineering. In this work, backside illuminated infrared photolumi 更多
收录类别:SCOPUS;SCIE;EI
WOS被引:33
Scopus被引:31
当年影响因子:3.411
5年影响因子:3.093
JCR分区:Q1
资源类型:外文期刊论文
版权说明
文件名称:
文件大小: 0
内容类型:
版本类型: 出版稿
开放类型: 开放获取
使用许可: CC BY-NC-SA
相关成果:

个性服务

原文链接

被引量

wos被引: 33 更新
scopus被引: 31

影响因子

当年影响因子 : 3.411

网络计量

其他

TOP