标题:Microwave Noise Modeling for PHEMT Using Artificial Neural Network Technique
作者:Li, XP[1];Gao, JJ[2];Zhang, QJ[3]
作者全称:Li, Xiuping[1];Gao, Jianjun[2];Zhang, Qi-Jun[3]
通讯作者:Li, X.(xpli@bupt.edu.cn)
通讯作者地址:Li, XP (reprint author), Beijing Univ Posts & Telecommun, Sch Telecommun Engn, Minist Educ, Key Lab Universal Wireless Commun, Beijing 100876, Peoples R China.
出版年:2009
卷:19
期:2
页码:187-196
关键词:Artificial neural network; HEMT; Noise model; Parameter extraction; Small signal model
摘要:An improved noise model for pseudomorphic high electron mobility transistors (PHEMT) based on the combination of the artificial neural network (ANN) a 更多
收录类别:SCIE;EI;SCOPUS
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