标题:Low-temperature crystallization of PbZr0.3Ti0.7O3 film induced by high-oxygen-pressure processing
作者:Zhang, XD[1,2];Meng, XJ[1];Sun, JL[1];Lin, T[1];Ma, JH[1];Chu, JH[1,3];Dho, JH[2]
作者全称:Zhang, Xiaodong[1,2];Meng, Xiangjian[1];Sun, Jinglan[1];Lin, Tie[1];Ma, Jianhua[1];Chu, Junhao[1,3];Dho, Joonghoe[2]
通讯作者:Zhang, X.
通讯作者地址:Zhang, XD (reprint author), Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, 500 Yu Tian Rd, Shanghai 200083, Peoples R China.
出版年:2008
卷:47
期:9
页码:7523-7526
关键词:Ferroelectric; Ferroelectric devices; High oxygen pressure; Post-annealing; PZT film; Sputtering
摘要:A 300-nm-thick PbZr0.3Ti0.7O3 [PZT(30/70)] film was sputtered onto LaNiO3 (LNO)/Si(100) substrates at a substrate temperature of 200 degrees C and the 更多
收录类别:SCOPUS;SCIE;CPCI-S;EI
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JCR分区:Q3
资源类型:外文期刊论文;外文会议论文
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