标题:Compliance current dominates evolution of NiSi2 defect size in Ni/dielectric/Si RRAM devices
作者:Mei, S[1];Bosman, M[2];Nagarajan, R[1];Wu, X[3];Pey, KL[1]
作者全称:Mei, Sen[1];Bosman, Michel[2];Nagarajan, Raghavan[1];Wu, Xing[3];Pey, Kin Leong[1]
通讯作者:Mei, Sen
通讯作者地址:Mei, S (reprint author), Singapore Univ Technol & Design, 8 Somapah Rd, Singapore 487372, Singapore.
出版年:2016
卷:61
页码:71-77
关键词:Compliance current; Defect evolution; Kinetic Monte Carlo; RRAM; STM-TEM
摘要:Resistive random access memory (RRAM) devices with a nickel top electrode form controllable metal nanofilaments and have robust resistive switching pe 更多
收录类别:SCOPUS;SCIE;EI
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JCR分区:Q3
资源类型:外文期刊论文;外文会议论文
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