标题:多晶硅太阳电池转换效率和晶体缺陷相关性
作者:张映斌[1,2];熊震[2];陈奕峰[2];冯志强[2];杨平雄[1];褚君浩[1]
通讯作者地址:Yang, PX (reprint author), E China Normal Univ, Dept Elect, Minist Educ, Key Lab Polar Mat & Devices, Shanghai 200241, Peoples R China.
出版年:2015
卷:34
期:5
关键词:多晶硅;缺陷;少子寿命;电池转换效率
摘要:多晶硅太阳能电池组件以它显著的综合成本优势被广泛应用.铸锭多晶硅的晶体缺陷特征与其电池转换效率有着强烈的关联性.晶体的底部和顶部缺陷密度高,对应的电池转换 更多
收录类别:知网;万方;维普;SCIE;CSCD
当年影响因子:0.267
JCR分区:Q4
资源类型:中文期刊论文;外文期刊论文
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