标题:微纳BNT铁电薄膜阵列制备及性能研究
作者:苗凤娟[1,3];陶佰睿[1,3];胡志高[2];褚君浩[1,2]
通讯作者地址:Miao, FJ (reprint author), Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China.
出版年:2014
卷:33
期:2
关键词:BNT; Ferroelectric films; Micro-nano film arrays; Si MCP
摘要:采用溶胶-凝胶和旋涂抽滤方法,在硅微通道(Si—MCP)衬底的内壁上涂敷前驱物,然后分别在600℃,650℃,700℃和750℃条件下制备Bi3.15Nd0.85Ti4O12/Si—MCP微纳 更多
收录类别:SCIE;SCOPUS;CSCD;EI;知网;万方;维普
当年影响因子:0.267
JCR分区:Q4
资源类型:中文期刊论文;外文期刊论文
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