专利名称:异质键合晶片的制备方法和应用
专利说明:一种异质键合晶片的制备方法和应用,属光电子器材集成和应用的技术领域。低温直接键合的两片异质材料分别是制备有ROIC的硅晶片和制备有IP薄膜的GaAs晶片,先按照 更多
公开号:CN1688014
公开日期:2005-10-26
申请人:华东师范大学;中国科学院上海技术物理研究所
发明人:郭方敏[1];甄红楼[2];陆卫[3];李宁[4];于绍欣[5];朱自强[6];劳五一[7];王少伟[8]
主分类号:H01L31/18;H01L21/00
版权说明
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内容类型:
版本类型: 出版稿
开放类型: 开放获取
使用许可: CC BY-NC-SA
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