专利名称:应用于MOSFET电学仿真的BSIM4应力模型
专利说明:本发明提供一种应用于MOSFET电学仿真的BSIM4应力模型,在标准BSIM4模型的基础上,引入了产生应力的版图参量作为实体参数,所述版图参量的值为设计的版图尺寸,包 更多
公开号:CN102142057A
公开日期:2011-08-03
申请人:华东师范大学;上海集成电路研发中心有限公司
发明人:石艳玲[1];李曦[2];汪明娟[3];任铮[4];胡少坚[5];陈寿面[6];彭兴伟[7];唐逸[8]
主分类号:G06F17/50
版权说明
文件名称:
文件大小: 0
内容类型:
版本类型: 出版稿
开放类型: 开放获取
使用许可: CC BY-NC-SA
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