标题:金属有机化学气相沉积法制备SnO2/MCM-41半导体传感器及其性能研究
作者:刘秀丽[1];高国华[1];Sibudjing[2]
通讯作者地址:Gao, GH (reprint author), E China Normal Univ, Dept Chem, Shanghai Key Lab Green Chem & Chem Proc, Shanghai 200062, Peoples R China.
出版年:2007
卷:28
期:9
关键词:半导体传感器;介孔分子筛(MCM-41);金属有机化学气相沉积(MOCVD);二氧化锡;薄膜
摘要:采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备了SnO2/MCM-41半导体传感器,考察了沉积时间和沉积温度对SnO2/MCM-41半导体传感器的SnO2沉积量、比表面积和孔径的影响;研 更多
收录类别:SCIE;EI;CSCD;知网;万方;维普
当年影响因子:0.677
JCR分区:Q4
资源类型:中文期刊论文;外文期刊论文
版权说明
文件名称:
文件大小: 0
内容类型:
版本类型: 出版稿
开放类型: 开放获取
使用许可: CC BY-NC-SA
相关成果:

个性服务

原文链接

被引量

wos被引: 2 更新

影响因子

当年影响因子 : 0.677

其他

TOP