标题:Effect of quantum dots on InAs/GaAs p-i-p quantum dots infrared photodetectors
作者:Zhang, B[1];Lu, HD[1];Guo, FM[1]
作者全称:Zhang, B.[1];Lu, H. D.[1];Guo, F. M.[1]
通讯作者:Guo, F.M.(fmguo@ee.ecnu.edu.cn)
通讯作者地址:Guo, FM (reprint author), East China Normal Univ, Shanghai, Peoples R China.
出版年:2017
卷:178
期:1
页码:73-78
关键词:dark current; InAs quantum dots; infrared photodetectors; photocurrent; simulation
摘要:In this paper, the InAs/GaAs p-i-p quantum dots infrared photodetectors (QDIPs) were successfully demonstrated by Apsys software. It consists of Al0.3 更多
收录类别:SCOPUS;SCIE;CPCI-S;EI
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JCR分区:Q4
资源类型:外文期刊论文;外文会议论文
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开放类型: 开放获取
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