标题:高电容比射频/微波MEMS膜开关的理论分析和数值模拟
作者:龙永福[1]; 赖宗声[2]; 朱自强[3]
来源:微波学报
出版年:2003
卷:19
期:1
关键词:电容比; 数值模拟; MEMS膜开关; 阈值电压; 维持电压; 电场强度
摘要:建立了一个MEMS膜开关电容比理论模型,由于这个模型比较全面地考虑了开关阈值电压、维持电压、偏置电压和介质膜内的电场强度等因素对电容比的影响,因; 而能较 更多
收录类别:知网;万方;维普;CSCD
资源类型:中文期刊论文
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