标题:Effect of planar doping in CO/SiO2-Ni/Cu/Co structures
作者:Wang, H[1,2,3]; Xia, YX[1,2,3]; Jin, QY[1,2,3]; Li, FM[1,2,3]
作者全称:Wang, H[1,2,3]; Xia, YX[1,2,3]; Jin, QY[1,2,3]; Li, FM[1,2,3]
通讯作者地址:Jin, QY (reprint author), Fudan Univ, State Key Joint Lab Mat Modification Laser Ion &, Shanghai 200433, Peoples R China.
出版年:2001
卷:226
页码:683-684
关键词:magnetoresistance; interface; doping effect; switching fields
摘要:The effect of interfacial planar doping with insulating granular layer in a sandwiched structure was studied. By inserting a thin SiO2-Ni layer into t 更多
收录类别:SCIE;
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当年影响因子:2.63
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JCR分区:Q2
资源类型:外文期刊论文
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