按条件检索“96”条记录

已选条件: 资源类型: 专利 ×
导出
  • 排序
  • 显示
1. 碳架纳米带搭载MoS2纳米小球纳米复合材料及其制备方法 专利

申请人:华东师范大学

发明人:郭邦军;郁可;朱自强

公开时间:2016-06-08

公开号:CN105655562A

最新法律状态:实质审查

2. MoSe2纳米片复合烟花状TiO2纳米棒阵列及其制备方法 专利

申请人:华东师范大学

发明人:雷祥;郁可;朱自强

公开时间:2016-08-10

公开号:CN105833886A

最新法律状态:实质审查

3. 二硫化钼纳米绣球花结构半导体材料及其制备方法 专利

申请人:华东师范大学

发明人:郁可;谭英华;朱自强

公开时间:2015-04-29

公开号:CN104556230A

最新法律状态:有效专利

4. TiO2量子点复合MoS2纳米花异质结半导体材料及其制备方法 专利

申请人:华东师范大学

发明人:郁可;傅豪;朱自强

公开时间:2015-03-11

公开号:CN104402052A

最新法律状态:有效专利

5. 波浪MoS2纳米片镶嵌蒲公英TiO2纳米球复合异质结半导体材料及其制备方法 专利

申请人:华东师范大学

发明人:傅豪;郁可;朱自强

公开时间:2015-03-25

公开号:CN104437555A

最新法律状态:实质审查

6. 自镶嵌三维Cu2S纳米结构和场电子发射阴极材料及其制备方法 专利

申请人:华东师范大学

发明人:郁可;宋长青;李守川;朱自强

公开时间:2015-03-25

公开号:CN104445361A

最新法律状态:失效专利

7. 三维MoS2@MWNTs 纳米结构及其制备方法 专利

申请人:华东师范大学

发明人:张庆锋;郁可;朱自强;宋长清

公开时间:2015-02-11

公开号:CN104341006A

最新法律状态:失效专利

8. 三维MoS2/SnO2异质半导体纳米材料及其制备方法 专利

申请人:华东师范大学

发明人:李金柱;郁可;朱自强

公开时间:2015-02-04

公开号:CN104324715A

最新法律状态:失效专利

9. 基于三维VS2/ZnO复合纳米结构的柔性场电子发射阴极材料及其制备方法 专利

申请人:华东师范大学

发明人:宋长青;郁可;尹海宏;朱自强

公开时间:2014-04-30

公开号:CN103762133A

最新法律状态:有效专利

10. 硫化亚铜纳米环状结构半导体材料及其制备方法 专利

申请人:华东师范大学

发明人:赵彬;郁可;李守川;朱自强

公开时间:2014-04-23

公开号:CN103739001A

最新法律状态:有效专利

11. 纳米球包围的MoS2微米空心球结构半导体材料及其制备方法 专利

申请人:华东师范大学

发明人:谭英华;郁可;朱自强

公开时间:2014-12-10

公开号:CN104192908A

最新法律状态:失效专利

12. 三维Cu2S@ZnO纳米异质结构的半导体材料及其制备方法 专利

申请人:华东师范大学

发明人:李守川;郁可;汪阳;宋长青;尹海宏;朱自强

公开时间:2013-07-17

公开号:CN103204536A

最新法律状态:失效专利

13. 一种四角树叶状CuO-ZnO复合纳米结构半导体材料及其制备方法 专利

申请人:华东师范大学

发明人:汪阳;郁可;李守川;尹海宏;宋长青;朱自强

公开时间:2013-09-04

公开号:CN103274443A

最新法律状态:失效专利

14. 高灵敏度量子效应光电探测器等效电路的建模方法 专利

申请人:华东师范大学

发明人:郭方敏;王明甲;宋东东;朱自强

公开时间:2012-07-11

公开号:CN102564584A

最新法律状态:有效专利

15. 一种SnO2三维多孔光子非晶半导体材料及其制备方法 专利

申请人:华东师范大学

发明人:廖娜;郁可;张正犁;朱自强

公开时间:2012-06-20

公开号:CN102503167A

最新法律状态:有效专利

16. 一种Cu2O多孔微米/纳米立方体的半导体材料及其制备方法 专利

申请人:华东师范大学

发明人:石慧;郁可;朱自强

公开时间:2012-06-20

公开号:CN102503547A

最新法律状态:失效专利

17. 一种Cu2O纳米笋结构的半导体材料及其制备方法 专利

申请人:华东师范大学

发明人:石慧;郁可;朱自强

公开时间:2012-05-09

公开号:CN102442834A

最新法律状态:失效专利

18. 一种Fe3O4纳米微球及其制备方法 专利

申请人:华东师范大学

发明人:娄蕾;郁可;朱建中;张正犁;王依婷;朱自强

公开时间:2012-06-20

公开号:CN102502879A

最新法律状态:失效专利

19. Fe3O4/量子点纳米复合材料及其制备方法和应用 专利

申请人:华东师范大学

发明人:娄蕾;郁可;朱建中;张正犁;王依婷;朱自强

公开时间:2012-06-27

公开号:CN102517022A

最新法律状态:失效专利

20. 在硅片上复合In2O3分层棒状纳米结构的半导体材料及其制备方法 专利

申请人:华东师范大学

发明人:黄雁君;郁可;朱自强

公开时间:2011-10-12

公开号:CN102211948A

最新法律状态:有效专利

共 5 页, 96 条记录

TOP